Gambar hanya untuk referensi, lihat spesifikasi produk
SQS966ENW-T1_GE3
| Produsen: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| Kategori Produk: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Lembar data: | SQS966ENW-T1_GE3 |
| Deskripsi: | MOSFET N-CHAN 60V |
| Status RoHS: | Sesuai RoHS |
| Atribut | Nilai atribut |
|---|---|
| Produsen | Vishay / Siliconix |
| Kategori Produk | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Seri | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| FET jenis | 2 N-Channel (Dual) |
| Kemasan | Tape & Reel (TR) |
| FET fitur | Standard |
| Status bagian | Active |
| Daya-Max | 27.8W (Tc) |
| Jenis pemasangan | Surface Mount, Wettable Flank |
| Paket/kasus | PowerPAK® 1212-8W Dual |
| VGS (th) (maks) @ id | 2.5V @ 250µA |
| Suhu operasi | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| RDS pada (maks) @ id, VGS | 36mOhm @ 1.25A, 10V |
| Paket perangkat supplier | PowerPAK® 1212-8W Dual |
| Gate charge (QG) (maks) @ VGS | 8.8nC @ 10V |
| Tiriskan ke sumber tegangan (Vdss) | 60V |
| Kapasitansi input (CISS) (maks) @ VDS | 572pF @ 25V |
| Current-kontinu Drain (id) @ 25 ° c | 6A (Tc) |
Dalam stok 0 pcs
| Harga refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.34 | $0.33 | $0.33 |
Permintaan Penawaran
Mengisi formulir di bawah ini dan kami akan menghubungi Anda sesegera mungkin
Menemukan Bargain
