SIHB30N60AEL-GE3

Produsen:	Vishay / Siliconix
Kategori Produk:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Lembar data:	SIHB30N60AEL-GE3
Deskripsi:	MOSFET N-CHAN 600V D2PAK
Status RoHS:	Sesuai RoHS

Atribut	Nilai atribut
Produsen	Vishay / Siliconix
Kategori Produk	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Seri	EL
FET jenis	N-Channel
Kemasan	Cut Tape (CT)
VGS (maks)	±30V
Teknologi	MOSFET (Metal Oxide)
FET fitur	-
Status bagian	Active
Jenis pemasangan	Surface Mount
Paket/kasus	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
VGS (th) (maks) @ id	4V @ 250µA
Suhu operasi	-55°C ~ 150°C (TJ)
RDS pada (maks) @ id, VGS	120mOhm @ 15A, 10V
Disipasi daya (maks)	250W (Tc)
Paket perangkat supplier	TO-263 (D²Pak)
Gate charge (QG) (maks) @ VGS	120nC @ 10V
Tiriskan ke sumber tegangan (Vdss)	600V
Kapasitansi input (CISS) (maks) @ VDS	2565pF @ 100V
Current-kontinu Drain (id) @ 25 ° c	28A (Tc)
Tegangan drive (RDS maks pada, min RDS on)	10V