Gambar hanya untuk referensi, lihat spesifikasi produk
TC58NYG1S3EBAI5
| Produsen: | Toshiba Memory |
|---|---|
| Kategori Produk: | USB Flash Drives |
| Lembar data: | TC58NYG1S3EBAI5 |
| Deskripsi: | NAND Flash 1.8V 2Gb 43nm SLC NAND (EEPROM) |
| Status RoHS: | Sesuai RoHS |
| Atribut | Nilai atribut |
|---|---|
| Rohs | Details |
| Merek | Toshiba Memory |
| Kecepatan | 25 ns |
| Produk | NAND Flash |
| Kemasan | Tray |
| Ukuran memori | 2 Gbit |
| Jenis memori | NAND |
| Subkategori | Memory & Data Storage |
| Jenis waktu | Synchronous |
| Arsitektur | Block Erase |
| Produsen | Toshiba |
| Organisasi | 256 M x 8 |
| Jenis produk | NAND Flash |
| Lebar bus data | 8 bit |
| Jenis antarmuka | Parallel |
| Gaya pemasangan | SMD/SMT |
| Paket/kasus | TFBGA-63 |
| Kategori Produk | NAND Flash |
| Kelembaban sensitif | Yes |
| Supply Current-Max | 30 mA |
| Pasokan tegangan-Max | 1.95 V |
| Tegangan suplai-min | 1.7 V |
| Paket pabrik kuantitas | 180 |
| Frekuensi Clock maksimum | - |
| Suhu operasi maksimum | + 85 C |
| Suhu operasi minimum | - 40 C |
Dalam stok 0 pcs
| Harga refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Permintaan Penawaran
Mengisi formulir di bawah ini dan kami akan menghubungi Anda sesegera mungkin
Menemukan Bargain
