Gambar hanya untuk referensi, lihat spesifikasi produk
TH58BYG2S3HBAI6
| Produsen: | Toshiba Memory America, Inc. |
|---|---|
| Kategori Produk: | Memory |
| Lembar data: | TH58BYG2S3HBAI6 |
| Deskripsi: | IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA |
| Status RoHS: | Sesuai RoHS |
| Atribut | Nilai atribut |
|---|---|
| Produsen | Toshiba Memory America, Inc. |
| Kategori Produk | Memory |
| Seri | Benand™ |
| Kemasan | Tray |
| Teknologi | FLASH - NAND (SLC) |
| Waktu akses | 25ns |
| Ukuran memori | 4Gb (512M x 8) |
| Jenis memori | Non-Volatile |
| Status bagian | Active |
| Format memori | FLASH |
| Jenis pemasangan | Surface Mount |
| Paket/kasus | 67-VFBGA |
| Antarmuka memori | Parallel |
| Tegangan-pasokan | 1.7V ~ 1.95V |
| Suhu operasi | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Paket perangkat supplier | 67-VFBGA (6.5x8) |
| Menulis siklus waktu-kata, halaman | 25ns |
Dalam stok 338 pcs
| Harga refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $5.13 | $5.03 | $4.93 |
Permintaan Penawaran
Mengisi formulir di bawah ini dan kami akan menghubungi Anda sesegera mungkin
Menemukan Bargain
