Gambar hanya untuk referensi, lihat spesifikasi produk
STW58N65DM2AG
| Produsen: | STMicroelectronics |
|---|---|
| Kategori Produk: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Lembar data: | STW58N65DM2AG |
| Deskripsi: | MOSFET N-CH 650V 48A |
| Status RoHS: | Sesuai RoHS |
| Atribut | Nilai atribut |
|---|---|
| Produsen | STMicroelectronics |
| Kategori Produk | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Seri | Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2 |
| FET jenis | N-Channel |
| Kemasan | Tube |
| VGS (maks) | ±25V |
| Teknologi | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET fitur | - |
| Status bagian | Active |
| Jenis pemasangan | Through Hole |
| Paket/kasus | TO-247-3 |
| Nomor bagian dasar | STW58N |
| VGS (th) (maks) @ id | 5V @ 250µA |
| Suhu operasi | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| RDS pada (maks) @ id, VGS | 65mOhm @ 24A, 10V |
| Disipasi daya (maks) | 360W (Tc) |
| Paket perangkat supplier | TO-247 |
| Gate charge (QG) (maks) @ VGS | 88nC @ 10V |
| Tiriskan ke sumber tegangan (Vdss) | 650V |
| Kapasitansi input (CISS) (maks) @ VDS | 4100pF @ 100V |
| Current-kontinu Drain (id) @ 25 ° c | 48A (Tc) |
| Tegangan drive (RDS maks pada, min RDS on) | 10V |
Dalam stok 597 pcs
| Harga refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $10.75 | $10.54 | $10.32 |
Permintaan Penawaran
Mengisi formulir di bawah ini dan kami akan menghubungi Anda sesegera mungkin
Menemukan Bargain
