Gambar hanya untuk referensi, lihat spesifikasi produk
QJD1210010
| Produsen: | Powerex, Inc. |
|---|---|
| Kategori Produk: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Lembar data: | QJD1210010 |
| Deskripsi: | MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC |
| Status RoHS: | Sesuai RoHS |
| Atribut | Nilai atribut |
|---|---|
| Produsen | Powerex, Inc. |
| Kategori Produk | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Seri | - |
| FET jenis | 2 N-Channel (Dual) |
| Kemasan | Bulk |
| FET fitur | Silicon Carbide (SiC) |
| Status bagian | Active |
| Daya-Max | 1080W |
| Jenis pemasangan | Chassis Mount |
| Paket/kasus | Module |
| VGS (th) (maks) @ id | 5V @ 10mA |
| Suhu operasi | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| RDS pada (maks) @ id, VGS | 25mOhm @ 100A, 20V |
| Paket perangkat supplier | Module |
| Gate charge (QG) (maks) @ VGS | 500nC @ 20V |
| Tiriskan ke sumber tegangan (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Kapasitansi input (CISS) (maks) @ VDS | 10200pF @ 800V |
| Current-kontinu Drain (id) @ 25 ° c | 100A (Tc) |
Dalam stok 0 pcs
| Harga refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Permintaan Penawaran
Mengisi formulir di bawah ini dan kami akan menghubungi Anda sesegera mungkin
Menemukan Bargain
