Gambar hanya untuk referensi, lihat spesifikasi produk
APT25GP120BDQ1G
| Produsen: | Microsemi Corporation |
|---|---|
| Kategori Produk: | Transistors - IGBTs - Single |
| Lembar data: | APT25GP120BDQ1G |
| Deskripsi: | IGBT 1200V 69A 417W TO247 |
| Status RoHS: | Sesuai RoHS |
| Atribut | Nilai atribut |
|---|---|
| Produsen | Microsemi Corporation |
| Kategori Produk | Transistors - IGBTs - Single |
| Seri | POWER MOS 7® |
| IGBT jenis | PT |
| Kemasan | Tube |
| Jenis input | Standard |
| Biaya gerbang | 110nC |
| Status bagian | Active |
| Daya-Max | 417W |
| Jenis pemasangan | Through Hole |
| Paket/kasus | TO-247-3 |
| Kondisi uji | 600V, 25A, 5Ohm, 15V |
| Switching energi | 500µJ (on), 440µJ (off) |
| TD (on/off) @ 25 ° c | 12ns/70ns |
| Suhu operasi | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Paket perangkat supplier | TO-247 [B] |
| VCE (on) (maks) @ Vge, IC | 3.9V @ 15V, 25A |
| Kolektor arus (IC) (maks) | 69A |
| Current-Kolektor Pulsed (ICM) | 90A |
| Tegangan-kolektor emitter Breakdown (maks) | 1200V |
Dalam stok 0 pcs
| Harga refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $13.07 | $12.81 | $12.55 |
Permintaan Penawaran
Mengisi formulir di bawah ini dan kami akan menghubungi Anda sesegera mungkin
Menemukan Bargain
