Gambar hanya untuk referensi, lihat spesifikasi produk
IRF7106
| Produsen: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Kategori Produk: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Lembar data: | IRF7106 |
| Deskripsi: | MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.5A 8-SOIC |
| Status RoHS: | Sesuai RoHS |
| Atribut | Nilai atribut |
|---|---|
| Produsen | Infineon Technologies |
| Kategori Produk | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Seri | HEXFET® |
| FET jenis | N and P-Channel |
| Kemasan | Tube |
| FET fitur | Standard |
| Status bagian | Obsolete |
| Daya-Max | 2W |
| Jenis pemasangan | Surface Mount |
| Paket/kasus | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| VGS (th) (maks) @ id | 1V @ 250µA |
| RDS pada (maks) @ id, VGS | 125mOhm @ 1A, 10V |
| Paket perangkat supplier | 8-SO |
| Gate charge (QG) (maks) @ VGS | 25nC @ 10V |
| Tiriskan ke sumber tegangan (Vdss) | 20V |
| Kapasitansi input (CISS) (maks) @ VDS | 300pF @ 15V |
| Current-kontinu Drain (id) @ 25 ° c | 3A, 2.5A |
Dalam stok 0 pcs
| Harga refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Permintaan Penawaran
Mengisi formulir di bawah ini dan kami akan menghubungi Anda sesegera mungkin
Menemukan Bargain
