Gambar hanya untuk referensi, lihat spesifikasi produk
HTNFET-D
| Produsen: | Honeywell Aerospace |
|---|---|
| Kategori Produk: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Lembar data: | HTNFET-D |
| Deskripsi: | MOSFET N-CH 55V 8-DIP |
| Status RoHS: | Sesuai RoHS |
| Atribut | Nilai atribut |
|---|---|
| Produsen | Honeywell Aerospace |
| Kategori Produk | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Seri | HTMOS™ |
| FET jenis | N-Channel |
| Kemasan | Bulk |
| VGS (maks) | 10V |
| Teknologi | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET fitur | - |
| Status bagian | Active |
| Jenis pemasangan | Through Hole |
| Paket/kasus | 8-CDIP Exposed Pad |
| VGS (th) (maks) @ id | 2.4V @ 100µA |
| Suhu operasi | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| RDS pada (maks) @ id, VGS | 400mOhm @ 100mA, 5V |
| Disipasi daya (maks) | 50W (Tj) |
| Paket perangkat supplier | 8-CDIP-EP |
| Gate charge (QG) (maks) @ VGS | 4.3nC @ 5V |
| Tiriskan ke sumber tegangan (Vdss) | 55V |
| Kapasitansi input (CISS) (maks) @ VDS | 290pF @ 28V |
| Current-kontinu Drain (id) @ 25 ° c | - |
| Tegangan drive (RDS maks pada, min RDS on) | 5V |
Dalam stok 0 pcs
| Harga refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $391.50 | $383.67 | $376.00 |
Permintaan Penawaran
Mengisi formulir di bawah ini dan kami akan menghubungi Anda sesegera mungkin
Menemukan Bargain
